核心技术规格
核心技术规格涵盖光源、分辨率、基板适配等多个关键维度,具体参数如下:
光源配置:提供两种可选方案,405nm二极管激光器、375nm紫外二极管激光器。
分辨率表现:XR高分辨率模式可实现200nm最小特征尺寸,处于市场同类激光直写系统先进水平,满足高精度微纳结构制造需求。
写模式与灰度等级:配备6种写模式,最小特征尺寸覆盖200nm-4μm;支持65536级专业灰度模式,标准模式提供128级或32768级选择,可精准制造复杂2.5D微结构。
基板兼容性:尺寸适配3×3mm至9"×9"(支持定制更大尺寸),厚度0-12mm,无材质限制,可稳定处理平面及曲面基板;曝光面积达200×200mm,满足中大型样品加工。
定位与对焦精度:采用干涉仪位置控制与实时光束位置校正相结合,高精度配置下第二层对准精度达350nm;自动对焦系统(光学或气压计),补偿范围80μm,适配透明或低反射率基板。
环境控制与运行效率:集成层流箱,温度稳定性±0.1°C,营造ISO 4级洁净环境;6英寸晶圆10分钟曝光,4μm模式+405nm激光下写入速度2000mm/min。
系统物理参数:光刻单元尺寸1300mm×1100mm×1950mm,重量1000kg,需配备专用安装空间。
激光直写光刻系统
https://www.huazhaotech.com/Products-39809160.html
https://www.chem17.com/st670748/product_39809160.html
原文链接:http://www.lingmov.com/chanpin/show-141979.html,转载和复制请保留此链接。
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