四探针电阻率测量仪

KLA R50四探针电阻率测绘系统是KLA电阻测试系列的产品。电阻测量和监控对于任何使用导电薄膜的行业都相当重要，从半导体制造到可穿戴技术所需的柔性电子产品。KLA R50四探针电阻率测量仪在金属膜均匀性分布、离子掺杂和注入表征、薄膜厚度和电阻率分布、以及非接触膜厚等量测领域均可涉及。

KLA R50四探针电阻率测量仪优势：

接触式四点探针（4PP）和非接触式电涡流（EC）配置；

100mmZ行程，高精度控制；

导体和半导体薄膜电阻，10个数量级范围适用；

测试点自定义编辑，包括矩形、线性、极坐标以及自定义配置；

200mmXY电动平台；

RSMapper软件灵活易用；

兼容KLA所有薄膜电阻测量探针；

KLA R50四探针电阻率测量仪测量原理：

四点探针（4PP）由四个导电探针组成的探头以可控力接触导电层表面，其中在被测导电层和衬底之间有非导电阻挡层。标准测量的探针配置是在两个外侧探针之间施加电流并在两个内侧探针之间测量电压。测量薄膜电阻时，导电层厚度应小于两个探针之间距离的1/2。KLA在R50四探针电阻率测量仪上研发了双模技术，该技术允许测量间隔探针上的电压，并配置了边界效应动态校正和探针间距误差补偿功能。KLA提供了丰富的探针类型以适用和优化不同表面材料的特性表征测量，几乎可用于任何导电薄膜或离子注入层。

电涡流（EC）是非接触式导电薄膜测量技术。通过线圈施加时变电流以产生时变磁场，当该磁场靠近导电表面时，会在该表面中产生感应时变电流（涡流)。这些电涡流反过来会产生它们自己的时变磁场，该磁场与探针线圈耦合并产生与样品的电阻成比例的信号变化。KLA特殊的EC技术，单个探头位于样品顶部，可以动态的调整每个测量点的探头高度，这对测量的准确性和重复性相当重要。EC法不受探头尺寸或表面氧化的影响，非常适合较软的或其它不适用于4PP接触法测量的样品。

四探针电阻率测量仪

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